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STU3N65M6

Name: STMicroelectronics STU3N65M6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STU3N65M6
Price: 1.59 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STU3N65M6

N° de fab. :

STU3N65M6

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in an IPAK package

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Cycle de vie:

NRND:

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Fiche technique:

STU3N65M6 Fiche technique (PDF)

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,59 €	1,59 €
	1,01 €	10,10 €
	0,672 €	67,20 €
	0,55 €	275,00 €
	0,482 €	482,00 €
	0,438 €	1 314,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-251-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	3.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.5 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.25 V
Qg - Charge de grille:	6 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	45 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Type de produit:	MOSFETs
Série:	Mdmesh M6
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	340 mg

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Fiche technique

STU3N65M6 Fiche technique (PDF)

PCN

TARIC:: 8542319000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8542310302
ECCN:: EAR99

MOSFET MDmesh™ M6

Les MOSFET MDmesh™ M6 STMicroelectronics associent une faible charge de grille (Q_g) avec un profil de capacité optimisée pour cibler un haut rendement sur les nouvelles topologies dans les applications de conversion de puissance. La série MDmesh M6 à super-jonction offre des performances à ultra-haut rendement résultant d'une densité de puissance accrue et d'une faible charge de grille pour un fonctionnement à hautes fréquences. Les MOSFET série M6 présentent une tension de rupture allant de 600 à 700 V. Ils sont disponibles dans une large variété d'options de boîtier, notamment une solution TO-LL (TO sans fil) permettant une gestion thermique efficace. Les composants sont fournis dans une large gamme de tensions de fonctionnement pour les applications industrielles, comme les chargeurs, les adaptateurs, les modules Silver Box, l'éclairage à LED, les télécommunications, les serveurs et l'énergie solaire.