STW26NM60N

STMicroelectronics
511-STW26NM60N
STW26NM60N

Fab. :

Description :
MOSFET N-channel 600 V Mdmesh II Power

Modèle de ECAO:
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En stock: 755

Stock:
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STMicroelectronics
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Tube
STW26NM60N
- 55 C
+ 150 C
Si
Marque: STMicroelectronics
Mode canal: Enhancement
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: SG
Temps de descente: 50 ns
Id - Courant continu de fuite: 20 A
Style de montage: Through Hole
Nombre de canaux: 1 Channel
Package/Boîte: TO-247-3
Pd - Dissipation d’énergie : 140 W
Type de produit: MOSFETs
Qg - Charge de grille: 60 nC
Rds On - Résistance drain-source: 165 mOhms
Temps de montée: 25 ns
Nombre de pièces de l'usine: 600
Sous-catégorie: Transistors
Nom commercial: MDmesh
Polarité du transistor: N-Channel
Type de transistor: 1 N-Channel Power MOSFET
Délai de désactivation type: 85 ns
Délai d'activation standard: 13 ns
Vds - Tension de rupture drain-source: 600 V
Vgs - Tension grille-source: - 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 2 V
Poids de l''unité: 6 g
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99