STW58N65DM2AG

STMicroelectronics
511-STW58N65DM2AG
STW58N65DM2AG

Fab. :

Description :
MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

Modèle de ECAO:
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STMicroelectronics
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
48 A
65 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
88 nC
- 55 C
+ 150 C
360 W
Enhancement
AEC-Q101
MDmesh
Tube
Marque: STMicroelectronics
Configuration: Single
Temps de descente: 7.7 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 31 ns
Série: STW58N65DM2AG
Nombre de pièces de l'usine: 600
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 157 ns
Délai d'activation standard: 28 ns
Poids de l''unité: 6 g
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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Automotive-Grade N-Channel MDmesh DM2 MOSFETs

STMicroelectronics Automotive-Grade N-Channel MDmesh DM2 Power MOSFETs are high-voltage with very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on). They are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

En stock: 454

Stock:
454 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
26 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
9,14 € 9,14 €
7,70 € 77,00 €
6,99 € 699,00 €
6,23 € 3 738,00 €
5,95 € 7 140,00 €