STWA48N60M2

STMicroelectronics
511-STWA48N60M2
STWA48N60M2

Fab. :

Description :
MOSFET N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 long lead

Modèle de ECAO:
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Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
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Prix (EUR)

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6,72 € 6,72 €
4,74 € 47,40 €
3,95 € 395,00 €
3,29 € 1 974,00 €

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STMicroelectronics
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
42 A
70 mOhms
- 25 V, 25 V
2 V
70 nC
- 55 C
+ 150 C
300 W
Enhancement
MDmesh
Marque: STMicroelectronics
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: CN
Temps de descente: 119 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 17 ns
Série: STWA48N60M2
Nombre de pièces de l'usine: 600
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 13 ns
Délai d'activation standard: 18.5 ns
Poids de l''unité: 6 g
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8542310000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8542310302
ECCN:
EAR99

MOSFET de puissance MDmesh™ II

Les MOSFET de puissance STMicroelectronics MDmesh™ II associent une structure verticale à la disposition en bande de STM pour obtenir l'un des plus bas niveaux de résistance à l'état passant et de charge de grille de l'industrie, les rendant ainsi adaptés à la plupart des convertisseurs haute efficacité les plus exigeants. Ces MOSFET de puissance MDmesh™ II sont entièrement isolés, sont fournis dans un boîtier à profil mince avec une ligne de fuite accrue entre la broche et la platine du dissipateur de chaleur. Ils sont 100 % testés en mode avalanche et offrent une capacité en entrée, une charge de grille et une résistance d'entrée de grille faibles.
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