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STWA65N60DM6

Name: STMicroelectronics STWA65N60DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STWA65N60DM6
Price: 6.2 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STWA65N60DM6

N° de fab. :

STWA65N60DM6

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

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Fiche technique:

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	4,58 €	45,80 €
	3,71 €	371,00 €
	3,23 €	1 938,00 €
	2,92 €	3 504,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	38 A
Rds On - Résistance drain-source:	71 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.25 V
Qg - Charge de grille:	54 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	250 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Type de produit:	MOSFETs
Série:	DM6
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	6 g

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Fiche technique

STWA65N60DM6 Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs

STMicroelectronics 600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs are optimized for ZVS, full-bridge, and half-bridge topologies. With a breakdown voltage of 600V, the MDmesh DM6 Power MOSFETs combine an optimized capacitance profile and lifetime killing process. The STMicroelectronics 600V MDmesh DM6 Super-junction MOSFETs offer a low gate charge (Q_g), very low recovery charge (Q_rr), low recovery time (t_rr), and an excellent R_DS(on) per area.