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STWA65N65DM2AG

Name: STMicroelectronics STWA65N65DM2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STWA65N65DM2AG
Price: 8.64 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STWA65N65DM2AG

N° de fab. :

STWA65N65DM2AG

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 42 mOhm typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

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Fiche technique:

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	8,64 €	8,64 €
	5,95 €	59,50 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	60 A
Rds On - Résistance drain-source:	50 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	120 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	446 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	11.5 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	13.5 ns
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	114 ns
Délai d'activation standard:	33 ns
Poids de l''unité:	6 g