STWA70N60DM6

STMicroelectronics
511-STWA70N60DM6
STWA70N60DM6

Fab. :

Description :
MOSFET N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
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Délai usine :
20 Semaines Délai de production estimé en usine.
Minimum : 600   Multiples : 600
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STMicroelectronics
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
62 A
42 mOhms
- 25 V, 25 V
3.25 V
99 nC
- 55 C
+ 150 C
390 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marque: STMicroelectronics
Configuration: Single
Type de produit: MOSFETs
Série: DM6
Nombre de pièces de l'usine: 600
Sous-catégorie: Transistors
Poids de l''unité: 6 g
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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs

STMicroelectronics 600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs are optimized for ZVS, full-bridge, and half-bridge topologies. With a breakdown voltage of 600V, the MDmesh DM6 Power MOSFETs combine an optimized capacitance profile and lifetime killing process. The STMicroelectronics 600V MDmesh DM6 Super-junction MOSFETs offer a low gate charge (Qg), very low recovery charge (Qrr), low recovery time (trr), and an excellent RDS(on) per area.