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STWA75N60M6

Name: STMicroelectronics STWA75N60M6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STWA75N60M6
Price: 8.94 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STWA75N60M6

N° de fab. :

STWA75N60M6

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead

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Fiche technique:

STWA75N60M6 Fiche technique (PDF)

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	8,94 €	8,94 €
	5,38 €	53,80 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	72 A
Rds On - Résistance drain-source:	36 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.25 V
Qg - Charge de grille:	106 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	446 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	12 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	38 ns
Série:	Mdmesh M6
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N Channel
Délai de désactivation type:	90 ns
Délai d'activation standard:	35 ns
Poids de l''unité:	6 g

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Fiche technique

STWA75N60M6 Fiche technique (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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Les MOSFET MDmesh™ M6 STMicroelectronics associent une faible charge de grille (Q_g) avec un profil de capacité optimisée pour cibler un haut rendement sur les nouvelles topologies dans les applications de conversion de puissance. La série MDmesh M6 à super-jonction offre des performances à ultra-haut rendement résultant d'une densité de puissance accrue et d'une faible charge de grille pour un fonctionnement à hautes fréquences. Les MOSFET série M6 présentent une tension de rupture allant de 600 à 700 V. Ils sont disponibles dans une large variété d'options de boîtier, notamment une solution TO-LL (TO sans fil) permettant une gestion thermique efficace. Les composants sont fournis dans une large gamme de tensions de fonctionnement pour les applications industrielles, comme les chargeurs, les adaptateurs, les modules Silver Box, l'éclairage à LED, les télécommunications, les serveurs et l'énergie solaire.