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VNB10N07

STMicroelectronics

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N° Mouser :

511-VNB10N07

N° de fab. :

VNB10N07

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-Ch 70V 10A OmniFET

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Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

VNB10N07 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:	N
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	70 V
Id - Courant continu de fuite:	10 A
Rds On - Résistance drain-source:	100 mOhms
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	50 W
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	100 ns
Sensibles à l’humidité:	Yes
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	80 ns
Série:	VNB10N07
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Poids de l''unité:	4 g

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Fiche technique

VNB10N07 Fiche technique (PDF)

EOL

Product Termination Notification (PDF)

PCN

VIPower Products Housed in DPAK/D2PAK,PACK/P2PAK,PENTAWATT: Migration to Leadfree (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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