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VNP10N06

STMicroelectronics

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N° Mouser :

511-VNP10N06

N° de fab. :

VNP10N06

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-Ch 60V 10A OmniFET

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Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

VNP10N06 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:	N
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	60 A
Rds On - Résistance drain-source:	150 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Pd - Dissipation d’énergie :	42 W
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	SG
Type de produit:	MOSFETs
Série:	VNP10N06
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

VNP10N06 Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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