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DBA200YA40

Name: SanRex DBA200YA40
Brand: SanRex
SKU: 197-DBA200YA40
Price: 26.72 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

197-DBA200YA40

N° de fab. :

DBA200YA40

Fab. :

SanRex

Description :

Modules de diode Discrete Semiconductor Modules 400V 200A

Fiche technique:

DBA200YA40 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Délai usine :: 26

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	26,72 €	26,72 €
	18,31 €	183,10 €
	17,45 €	1 745,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	SanRex
Catégorie du produit:	Modules de diode
RoHS:
Style de montage:	Screw Mount
Vr - Tension inverse:	400 V
Type:	Isolated
Configuration:	Dual
Vf - Tension directe:	1.2 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	DBA
Conditionnement:	Tray
Marque:	SanRex
Type de produit:	Diode Modules
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Technologie:	Si
Nom commercial:	SanRex
Poids de l''unité:	30 g

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Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411099
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Philippines
Pays d'origine de l'assemblage:: Philippines
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Fast Recovery Diode Modules

SanRex Fast Recovery Diode Modules are high‑power semiconductor rectifier devices designed for use in industrial power conversion and motor control systems. These SanRex modules are optimized to handle high current and high voltage operation while maintaining fast reverse recovery characteristics, making the devices well-suited for modern high‑frequency switching applications. The modules employ fast recovery or soft recovery diode structures to minimize reverse recovery time and switching losses. This performance characteristic is critical when the diodes are used in conjunction with IGBTs, MOSFETs, and power transistors, where excessive recovery current can increase losses, electromagnetic noise, and device stress. By reducing the reverse recovery charge, these modules help improve overall system efficiency and reliability.