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S34ML02G300TFI000

Name: SkyHigh Memory S34ML02G300TFI000
Brand: SkyHigh Memory
SKU: 727-S34ML02G3TFI000
Price: 4.49 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

727-S34ML02G3TFI000

N° de fab. :

S34ML02G300TFI000

Fab. :

SkyHigh Memory

Description :

Flash NAND 0BIT ECC, X8 I/O AND 3V VCC SLC NAND FLASH MEMORY 2KB PAGE SIZE TSOP (2Gb die)

Fiche technique:

S34ML02G300TFI000 Fiche technique (PDF)

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	4,49 €	4,49 €
	4,13 €	41,30 €
	4,01 €	100,25 €
	3,91 €	195,50 €
	3,82 €	366,72 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	SkyHigh Memory
Catégorie du produit:	Flash NAND
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TSOP-I-48
Taille de la mémoire:	2 Gbit
Type d'interface:	Parallel
Organisation:	256 M x 8
Type de chronométrage:	Asynchronous
Largeur du bus de données:	8 bit
Tension d’alimentation - Min.:	2.7 V
Tension d’alimentation - Max.:	3.6 V
Courant d’alimentation maximal:	35 mA
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Conditionnement:	Tray
Courant de lecture actif maximal:	35 mA
Marque:	SkyHigh Memory
Sensibles à l’humidité:	Yes
Type de produit:	NAND Flash
Nombre de pièces de l'usine:	96
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage

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Fiche technique

S34ML02G300TFI000 Fiche technique (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

CNHTS:: 8542329000
CAHTS:: 8542320040
USHTS:: 8542320051
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.1.a

S34ML0xGx SLC NAND Flash Memory

SkyHigh Memory S34ML0xGx SLC NAND Flash Memory is the first family of Single-Level Cell (SLC) NAND products using 4x nm floating-gate technology, targeted specifically for data storage in automotive, consumer, and networking applications. The SLC NAND is offered in densities from 1Gb to 8Gb, in 3.0V and 1.8V families that feature high performance, extended temperature range, long-term product support, and stringent reliability demands, such as 1-bit, 4-bit Error Correction Code (ECC). The NAND cell provides the most cost-effective solution for the solid-state mass storage market. The memory is divided into blocks that can be erased independently so it is possible to preserve valid data while old data is erased.