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TSCDAH20120G2H

Name: Taiwan Semiconductor TSCDAH20120G2H
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSCDAH20120G2H
Price: 4.3 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

821-TSCDAH20120G2H

N° de fab. :

TSCDAH20120G2H

Fab. :

Taiwan Semiconductor

Description :

Diodes Schottky SiC 20A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-247-2L_SiC

Cycle de vie:

Nouveau produit:

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Fiche technique:

TSCDAH20120G2H Fiche technique

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Fabricant:	Taiwan Semiconductor
Catégorie du produit:	Diodes Schottky SiC
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-2
Configuration:	Single
If - Courant direct:	20 A
Vrrm - Tension inverse répétitive:	1.2 kV
Vf - Tension directe:	1.38 V
Ifsm - Courant de surtension direct:	180 A
Ir - Courant inverse:	30 uA
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	TSCD
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Tube
Marque:	Taiwan Semiconductor
Type de produit:	SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tension inverse:	840 V
Poids de l''unité:	6,100 g

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SPICE Models

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Codes de conformité

TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

TSCD 1200V SiC Schottky Diodes

Taiwan Semiconductor TSCD 1200V SiC Schottky Diodes are AEC-Q101 qualified, merged PIN Schottky diodes with high forward surge capability. These TSCD Schottky diodes feature high-speed switching and a positive temperature coefficient on V_F. The 1200V SiC Schottky diodes operate at a 175°C maximum junction temperature. These SiC diodes are RoHS-compliant, Pb-free, and halogen-free. The 1200V SiC diodes are ideal for general-purpose, Switch Mode Power Supplies (SMPS), and power factor correction.