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TSM180N03PQ33 RGG

Name: Taiwan Semiconductor TSM180N03PQ33 RGG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM180N03PQ33RGG
Price: 0.65 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

821-TSM180N03PQ33RGG

N° de fab. :

TSM180N03PQ33 RGG

Fab. :

Taiwan Semiconductor

Description :

MOSFET 30V, 25A, Single N-Channel Power MOSFET

Fiche technique:

TSM180N03PQ33 RGG Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	0,654 €	0,65 €
	0,405 €	4,05 €
	0,261 €	26,10 €
	0,199 €	99,50 €
	0,162 €	162,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)
	0,142 €	710,00 €
	0,134 €	1 340,00 €
	0,123 €	3 075,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Taiwan Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PDFN33-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	25 A
Rds On - Résistance drain-source:	14 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.2 V
Qg - Charge de grille:	4.1 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	21 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Taiwan Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	4.6 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	7.2 ns
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	15.8 ns
Délai d'activation standard:	2.8 ns
Raccourcis pour l'article N°:	TSM180N03PQ33
Poids de l''unité:	304,151 mg