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TSM2318CX RFG

Name: Taiwan Semiconductor TSM2318CX RFG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM2318CXRFG
Price: 0.9 EUR
Availability: OutOfStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

821-TSM2318CXRFG

N° de fab. :

TSM2318CX RFG

Fab. :

Taiwan Semiconductor

Description :

MOSFET 40V, 3.9A, Single N-Channel Power MOSFET

Fiche technique:

TSM2318CX RFG Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Disponibilité

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,903 €	0,90 €
	0,563 €	5,63 €
	0,368 €	36,80 €
	0,285 €	142,50 €
	0,258 €	258,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,223 €	669,00 €
	0,211 €	1 266,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Taiwan Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-23-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	3.9 A
Rds On - Résistance drain-source:	36 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1 V
Qg - Charge de grille:	10 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.25 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Taiwan Semiconductor
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	15 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	12 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	20 ns
Délai d'activation standard:	5 ns
Poids de l''unité:	8 mg