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TSM250N02DCQ RFG

Name: Taiwan Semiconductor TSM250N02DCQ RFG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM250N02DCQRFG
Price: 0.72 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

821-TSM250N02DCQRFG

N° de fab. :

TSM250N02DCQ RFG

Fab. :

Taiwan Semiconductor

Description :

MOSFET 20V, 5.8A, Dual N-Channel Power MOSFET

Fiche technique:

TSM250N02DCQ RFG Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	0,722 €	0,72 €
	0,446 €	4,46 €
	0,289 €	28,90 €
	0,222 €	111,00 €
	0,20 €	200,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,171 €	513,00 €
	0,17 €	1 530,00 €
	0,154 €	3 696,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Taiwan Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TDFN-6
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	5.8 A
Rds On - Résistance drain-source:	20 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	400 mV
Qg - Charge de grille:	7.7 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	620 mW
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Taiwan Semiconductor
Configuration:	Dual
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TW
Temps de descente:	7.6 ns
Sensibles à l’humidité:	Yes
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	11.6 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Délai de désactivation type:	23.9 ns
Délai d'activation standard:	4.1 ns
Raccourcis pour l'article N°:	TSM250N02DCQ
Poids de l''unité:	61,816 mg