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TSM2N7002AKDCU6 RFG

Name: Taiwan Semiconductor TSM2N7002AKDCU6 RFG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM2N7002KDCU6
Price: 0.32 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

821-TSM2N7002KDCU6

N° de fab. :

TSM2N7002AKDCU6 RFG

Fab. :

Taiwan Semiconductor

Description :

MOSFET 60V, 0.22A, Dual N-Channel Power MOSFET

Fiche technique:

TSM2N7002AKDCU6 RFG Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,327 €	0,33 €
	0,20 €	2,00 €
	0,126 €	12,60 €
	0,094 €	47,00 €
	0,083 €	83,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,069 €	207,00 €
	0,062 €	372,00 €
	0,052 €	468,00 €
	0,05 €	1 200,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Taiwan Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-363-6
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	220 mA
Rds On - Résistance drain-source:	2.5 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	91 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	240 mW
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Taiwan Semiconductor
Configuration:	Dual
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TW
Temps de descente:	50 ns
Transconductance directe - min.:	0.5 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	10 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Délai de désactivation type:	20 ns
Délai d'activation standard:	4 ns
Raccourcis pour l'article N°:	TSM2N7002AKDCU6
Poids de l''unité:	7,500 mg

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Fiche technique

TSM2N7002AKDCU6 RFG Fiche technique

Models

TSM2N7002AKDCU6 RFG Symbol & Footprint by SnapMagic

SPICE Models

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

TSM2N7002 N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor TSM2N7002 N-Channel Power MOSFETs feature a lowdrain-source on-state resistance (R_DS(ON)), that minimizes conductive losses. The N-channel power MOSFETs enable a low gate charge for fast power switching. These power MOSFETs are available in single and dual configuration variants. The TSM2N7002 power MOSFETs operate at 60V drain-source breakdown voltage and -55°C to +150°C temperature range. These N-channel power MOSFETs are ideal for low side load switching, level shift circuits, and general switch circuits.