Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

TSM4NB60CP ROG

Name: Taiwan Semiconductor TSM4NB60CP ROG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM4NB60CPROG
Price: 1.41 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

821-TSM4NB60CPROG

N° de fab. :

TSM4NB60CP ROG

Fab. :

Taiwan Semiconductor

Description :

MOSFET 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET

Fiche technique:

TSM4NB60CP ROG Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

En stock: 3 220

Stock:: 3 220 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 16 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,41 €	1,41 €
	0,894 €	8,94 €
	0,593 €	59,30 €
	0,466 €	233,00 €
	0,425 €	425,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,384 €	960,00 €
	0,338 €	1 690,00 €
	0,325 €	3 250,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Taiwan Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	4 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.2 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	14.5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	50 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Taiwan Semiconductor
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TW
Temps de descente:	19 ns
Sensibles à l’humidité:	Yes
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	20 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	30 ns
Délai d'activation standard:	11 ns
Raccourcis pour l'article N°:	TSM4NB60CP
Poids de l''unité:	330 mg