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TSM60NB190CM2 RNG

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N° Mouser :

821-TSM60NB190CM2RNG

N° de fab. :

TSM60NB190CM2 RNG

Fab. :

Taiwan Semiconductor

Description :

MOSFET 600V, 18A, Single N-Channel Power MOSFET

Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

TSM60NB190CM2 RNG Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Taiwan Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	18 A
Rds On - Résistance drain-source:	170 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	31 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	150.6 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Taiwan Semiconductor
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TW
Temps de descente:	21 ns
Sensibles à l’humidité:	Yes
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	21 ns
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	95 ns
Délai d'activation standard:	36 ns
Raccourcis pour l'article N°:	TSM60NB190CM2
Poids de l''unité:	4 g