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TSM650P03CX RFG

Name: Taiwan Semiconductor TSM650P03CX RFG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM650P03CXRFG
Price: 0.54 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

821-TSM650P03CXRFG

N° de fab. :

TSM650P03CX RFG

Fab. :

Taiwan Semiconductor

Description :

MOSFET -30V, -4.1A, Single P-Channel Power MOSFET

Fiche technique:

TSM650P03CX RFG Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

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Ext. Prix:

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	0,542 €	0,54 €
	0,332 €	3,32 €
	0,212 €	21,20 €
	0,16 €	80,00 €
	0,144 €	144,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,121 €	363,00 €
	0,11 €	660,00 €
	0,095 €	855,00 €
	0,093 €	2 232,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Taiwan Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-23-3
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	4.1 A
Rds On - Résistance drain-source:	55 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	400 mV
Qg - Charge de grille:	8 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.56 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Taiwan Semiconductor
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TW
Temps de descente:	12.4 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	19.4 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	45.9 ns
Délai d'activation standard:	5.4 ns
Raccourcis pour l'article N°:	TSM650P03CX
Poids de l''unité:	8 mg