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BQ500101DPCT

Name: Texas Instruments BQ500101DPCT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-BQ500101DPCT
Price: 1.94 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

595-BQ500101DPCT

N° de fab. :

BQ500101DPCT

Fab. :

Texas Instruments

Description :

CI de chargement sans fil NexFET Power Stage A 595-BQ500101DPCR A A 595-BQ500101DPCR

Fiche technique:

BQ500101DPCT Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,94 €	1,94 €
	1,44 €	14,40 €
	1,31 €	32,75 €
	1,17 €	117,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)
	1,10 €	275,00 €
	1,07 €	535,00 €
	1,06 €	1 060,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

BQ500101DPCR

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

1,65 €

Min.:

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Fab. :

Texas Instruments

N° de fab. :

BQ500101DPCR

Description :

CI de chargement sans fil NexFET Power Stage 8 -VSON-CLIP -40 to 1 A 595-BQ500101DPCT

Comparer avec la pièce actuelle

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	CI de chargement sans fil
RoHS:
REACH - SVHC:
Standard:	WPC 1.2
Produit:	Transmitters
Courant de sortie:	10 A
Tension d'alimentation de fonctionnement:	24 V
Courant d'alimentation de fonctionnement:	2 mA
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 125 C
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	VSON-CLIP-8
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Texas Instruments
Pays d’assemblage:	PH
Pays de diffusion:	JP
Pays d'origine:	PH
Sensibles à l’humidité:	Yes
Type de produit:	Wireless Charging ICs
Série:	BQ500101
Nombre de pièces de l'usine:	250
Sous-catégorie:	Wireless Charging
Nom commercial:	NexFET
Poids de l''unité:	50,300 mg

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Fiche technique

BQ500101DPCT Fiche technique

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Technical Resources

BQ500101 TINA-TI Reference Design

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TARIC:: 8542319000
CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8542310030
MXHTS:: 8542310302
ECCN:: EAR99

NexFET Power Stage ICs

Texas Instruments NexFET Power Stage ICs are optimized driver ICs with Dual NexFET MOSFETs used in the device. This feature delivers higher efficiency in a typical high-current POL design. With ultra-low Q_g and Q_gd, these devices enable a higher switching frequency with up to double frequency for the same power loss versus competitors' devices. This feature provides improved transient response for fewer output capacitors that will be needed. There is a reduction in size by up to 1/2 for the output filter (caps and inductor). These devices come with a unique ground pad leadframe and pinout, simplifying the customer's layout and improving operating and thermal performance. The Texas Instruments NexFET Power Stage ICs are offered in smaller packages versus typical discrete solutions, which saves board space.

MOSFET de puissance NexFET™ Texas Instruments

Les MOSFET de puissance NexFET™ Texas Instruments fournissent une charge de grille réduite de moitié pour la même résistance, afin de permettre aux concepteurs d'obtenir des rendements d'alimentation électrique de 90 % avec une fréquence double. Les MOSFET de puissance NexFET de TI combinent un flux de courant vertical à un MOSFET de puissance latéral. Ces composants fournissent une faible résistance en fonctionnement et nécessitent une charge de grille extrêmement faible dans un format de boîtier aux standards de l'industrie. Une telle combinaison n'était pas possible auparavant avec les plates-formes sur silicone existantes. La technologie MOSFET de puissance NexFET de TI améliore le rendement énergétique dans les calculateurs, les réseaux, les systèmes de serveurs et les sources d’alimentation de haute puissance.
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