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CSD13383F4

Name: Texas Instruments CSD13383F4
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD13383F4
Price: 0.42 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

595-CSD13383F4

N° de fab. :

CSD13383F4

Fab. :

Texas Instruments

Description :

MOSFET CSD13383F4 12-V Ncha MOSFET 3-PICOSTAR A A 595-CSD13383F4T

Fiche technique:

CSD13383F4 Fiche technique

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,421 €	0,42 €
	0,30 €	3,00 €
	0,187 €	18,70 €
	0,12 €	60,00 €
	0,11 €	110,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,094 €	282,00 €
	0,083 €	498,00 €
	0,066 €	594,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

CSD13383F4T

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

0,70 €

Min.:

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Fab. :

Texas Instruments

N° de fab. :

CSD13383F4T

Description :

MOSFET 12V N-Channel FemtoF ET MOSFET A 595-CSD A 595-CSD13383F4

Comparer avec la pièce actuelle

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PICOSTAR-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	12 V
Id - Courant continu de fuite:	2.9 A
Rds On - Résistance drain-source:	44 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	700 mV
Qg - Charge de grille:	2.6 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	500 mW
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	NexFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Texas Instruments
Configuration:	Single
Type de produit:	MOSFETs
Série:	CSD13383F4
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Poids de l''unité:	0,400 mg

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Fiche technique

CSD13383F4 Fiche technique

PCN

SPICE Models

CSD13383F4 PSpice Model (Rev. A)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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