Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

CSD13385F5

Name: Texas Instruments CSD13385F5
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD13385F5
Price: 0.54 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

595-CSD13385F5

N° de fab. :

CSD13385F5

Fab. :

Texas Instruments

Description :

MOSFET 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13385F5T

Fiche technique:

CSD13385F5 Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Texas Instruments CSD13385F5

En stock: 5 700

Stock:: 5 700 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 6 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Long délai signalé sur ce produit.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,542 €	0,54 €
	0,333 €	3,33 €
	0,212 €	21,20 €
	0,161 €	80,50 €
	0,144 €	144,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,122 €	366,00 €
	0,111 €	666,00 €
	0,095 €	855,00 €
	0,094 €	2 256,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

CSD13385F5T

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

1,29 €

Min.:

Produit similaire

Fab. :

Texas Instruments

N° de fab. :

CSD13385F5T

Description :

MOSFET 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13385F5

Comparer avec la pièce actuelle

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PICOSTAR-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	12 V
Id - Courant continu de fuite:	7.1 A
Rds On - Résistance drain-source:	19 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	500 mV
Qg - Charge de grille:	5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.4 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	NexFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Texas Instruments
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	PH
Pays de diffusion:	CN
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	10 ns
Transconductance directe - min.:	11.3 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	10 ns
Série:	CSD13385F5
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	33 ns
Délai d'activation standard:	7 ns
Poids de l''unité:	0,700 mg

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

SPICE Models

Technical Resources

CSD13385F5 TINA-TI Reference Design

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance FemtoFET

Les MOSFET de puissance FemtoFET de Texas Instruments offrent un encombrement ultra-réduit (taille du boîtier 0402) avec une résistance ultra-faible (inférieure de 70 % à la concurrence). Ces MOSFET comportent des caractéristiques de Qg et Qgd ultra faibles et sont dotés d'une ESD optimisée. Ils sont disponibles en boîtier LGA (land grid array). Ce boîtier maximise le contenu de silicium, ce qui les rend idéaux pour les applications à espace restreint. Ces MOSFET de puissance offrent une faible dissipation d'énergie et de faibles pertes de commutation pour de meilleures performances à faible charge. Les applications standard de ces composants sont notamment les applications portables, mobiles, à commutation de charge, à commutation générale et alimentées par batteries.
En savoir plus