CSD16408Q5C

595-CSD16408Q5C
CSD16408Q5C

Fab. :

Description :
MOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

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1,37 € 13,70 €
0,937 € 93,70 €
0,775 € 387,50 €
0,718 € 718,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
0,671 € 1 677,50 €
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Texas Instruments
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
VSON-CLIP-8
N-Channel
1 Channel
25 V
100 A
5.4 mOhms
- 16 V, 16 V
1.8 V
6.7 nC
- 55 C
+ 150 C
3.1 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Texas Instruments
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: PH
Temps de descente: 10.8 ns
Transconductance directe - min.: 60 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 25 ns
Série: CSD16408Q5C
Nombre de pièces de l'usine: 2500
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 11 ns
Délai d'activation standard: 11.3 ns
Poids de l''unité: 105,800 mg
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8542399000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85423999
ECCN:
EAR99

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFET

The Texas Instruments N-Channel NexFETPower MOSFET series features low on resistance coupled with extremely low gate charge, making it ideal for high efficiency/high frequency switching converter and Synchronous FET applications. The TI NexFET Power MOSFET combines vertical current flow with a lateral power MOSFET for a level of performance not previously possible with existing silicon platforms. The TI NexFET minimizes losses in power conversion applications and allows designers to achieve 90-percent power supply efficiencies from light to full loads with high output currents and low duty cycles.