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CSD17579Q5AT

Name: Texas Instruments CSD17579Q5AT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17579Q5AT
Price: 1.78 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

595-CSD17579Q5AT

N° de fab. :

CSD17579Q5AT

Fab. :

Texas Instruments

Description :

MOSFET 30V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD17579Q5A

Fiche technique:

CSD17579Q5AT Fiche technique

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,78 €	1,78 €
	1,14 €	11,40 €
	0,666 €	66,60 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)
	0,666 €	166,50 €
	0,574 €	287,00 €
	0,519 €	519,00 €
	0,499 €	1 247,50 €
	0,492 €	2 460,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

CSD17579Q5A

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

0,84 €

Min.:

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Fab. :

Texas Instruments

N° de fab. :

CSD17579Q5A

Description :

MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD17579Q5AT

Comparer avec la pièce actuelle

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	VSONP-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	25 A
Rds On - Résistance drain-source:	11.6 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1 V
Qg - Charge de grille:	15.1 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	36 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	NexFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Texas Instruments
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	1 ns
Transconductance directe - min.:	36 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	7 ns
Série:	CSD17579Q5A
Nombre de pièces de l'usine:	250
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	13 ns
Délai d'activation standard:	3 ns
Poids de l''unité:	24 mg

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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.