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CSD18511KCS

Name: Texas Instruments CSD18511KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18511KCS
Price: 2.06 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

595-CSD18511KCS

N° de fab. :

CSD18511KCS

Fab. :

Texas Instruments

Description :

MOSFET 40-V N channel NexF ET power MOSFET si

Fiche technique:

CSD18511KCS Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	2,06 €	2,06 €
	0,998 €	9,98 €
	0,886 €	88,60 €
	0,707 €	353,50 €
	0,606 €	606,00 €
	0,605 €	1 512,50 €
	0,587 €	2 935,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	194 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.2 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.5 V
Qg - Charge de grille:	64 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	188 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	Texas Instruments
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	CN
Pays de diffusion:	CN
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	3 ns
Transconductance directe - min.:	249 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	6 ns
Série:	CSD18511KCS
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	17 ns
Délai d'activation standard:	8 ns
Poids de l''unité:	2 g