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CSD18536KCS

Name: Texas Instruments CSD18536KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18536KCS
Price: 5.04 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

595-CSD18536KCS

N° de fab. :

CSD18536KCS

Fab. :

Texas Instruments

Description :

MOSFET 60-V N channel NexF ET power MOSFET si

Fiche technique:

CSD18536KCS Fiche technique

Modèle de ECAO:

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En stock: 792

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	5,04 €	5,04 €
	3,02 €	30,20 €
	2,28 €	228,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	349 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.6 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.4 V
Qg - Charge de grille:	108 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	375 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	NexFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	Texas Instruments
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	CN
Pays de diffusion:	CN
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	4 ns
Transconductance directe - min.:	312 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	5 ns
Série:	CSD18536KCS
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	24 ns
Délai d'activation standard:	11 ns
Poids de l''unité:	2 g