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CSD18537NKCS

Name: Texas Instruments CSD18537NKCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18537NKCS
Price: 1.57 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

595-CSD18537NKCS

N° de fab. :

CSD18537NKCS

Fab. :

Texas Instruments

Description :

MOSFET 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET

Fiche technique:

CSD18537NKCS Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,57 €	1,57 €
	0,746 €	7,46 €
	0,665 €	66,50 €
	0,524 €	262,00 €
	0,441 €	441,00 €
	0,413 €	2 065,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	56 A
Rds On - Résistance drain-source:	14 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.6 V
Qg - Charge de grille:	14 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	94 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	NexFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	Texas Instruments
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	CN
Pays de diffusion:	CN
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	3.9 ns
Transconductance directe - min.:	100 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	3.2 ns
Série:	CSD18537NKCS
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	12.6 ns
Délai d'activation standard:	4.5 ns
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

CSD18537NKCS Fiche technique

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PCN

Qualification of GTBF as Additional Assembly/Test Site for Select Devices (PDF)

SPICE Models

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance NexFET™ Texas Instruments

Les MOSFET de puissance NexFET™ Texas Instruments fournissent une charge de grille réduite de moitié pour la même résistance, afin de permettre aux concepteurs d'obtenir des rendements d'alimentation électrique de 90 % avec une fréquence double. Les MOSFET de puissance NexFET de TI combinent un flux de courant vertical à un MOSFET de puissance latéral. Ces composants fournissent une faible résistance en fonctionnement et nécessitent une charge de grille extrêmement faible dans un format de boîtier aux standards de l'industrie. Une telle combinaison n'était pas possible auparavant avec les plates-formes sur silicone existantes. La technologie MOSFET de puissance NexFET de TI améliore le rendement énergétique dans les calculateurs, les réseaux, les systèmes de serveurs et les sources d’alimentation de haute puissance.
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