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CSD18540Q5B

Name: Texas Instruments CSD18540Q5B
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18540Q5B
Price: 2.71 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

595-CSD18540Q5B

N° de fab. :

CSD18540Q5B

Fab. :

Texas Instruments

Description :

MOSFET 60V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD18540Q5BT

Fiche technique:

CSD18540Q5B Fiche technique

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,71 €	2,71 €
	1,76 €	17,60 €
	1,25 €	125,00 €
	1,02 €	510,00 €
	0,98 €	980,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,92 €	2 300,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

CSD18540Q5BT

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

3,78 €

Min.:

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Fab. :

Texas Instruments

N° de fab. :

CSD18540Q5BT

Description :

MOSFET 60V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1854 A 595-CSD18540Q5B

Comparer avec la pièce actuelle

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	VSON-CLIP-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	100 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.2 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.5 V
Qg - Charge de grille:	41 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	188 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	NexFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Texas Instruments
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	PH
Pays de diffusion:	CN
Pays d'origine:	PH
Kit de développement:	BOOSTXL-DRV8305EVM, DRV8704EVM
Temps de descente:	3 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	9 ns
Série:	CSD18540Q5B
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel Power MOSFET
Délai de désactivation type:	20 ns
Délai d'activation standard:	6 ns
Poids de l''unité:	120,600 mg