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CSD19503KCS

Name: Texas Instruments CSD19503KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19503KCS
Price: 2.31 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

595-CSD19503KCS

N° de fab. :

CSD19503KCS

Fab. :

Texas Instruments

Description :

MOSFET 80V 7.6mOhm N-CH Pwr MOSFET

Fiche technique:

CSD19503KCS Fiche technique

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
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	1,17 €	11,70 €
	1,05 €	105,00 €
	0,847 €	423,50 €
	0,726 €	726,00 €
	0,70 €	3 500,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	100 A
Rds On - Résistance drain-source:	9.2 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.8 V
Qg - Charge de grille:	28 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	188 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	NexFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	Texas Instruments
Configuration:	Single
Temps de descente:	2 ns
Transconductance directe - min.:	110 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	3 ns
Série:	CSD19503KCS
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	11 ns
Délai d'activation standard:	7 ns
Poids de l''unité:	2 g

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TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

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