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CSD19532KTT

Name: Texas Instruments CSD19532KTT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19532KTT
Price: 2.9 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

595-CSD19532KTT

N° de fab. :

CSD19532KTT

Fab. :

Texas Instruments

Description :

MOSFET CSD19532Q5B Pkg spin A 595-CSD19532KTTT A 595-CSD19532KTTT

Fiche technique:

CSD19532KTT Fiche technique

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,90 €	2,90 €
	1,88 €	18,80 €
	1,31 €	131,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 500)
	1,06 €	530,00 €
	0,963 €	963,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

CSD19532KTTT

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

3,61 €

Min.:

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Fab. :

Texas Instruments

N° de fab. :

CSD19532KTTT

Description :

MOSFET 100V N-channel NexF ET Pwr MOSFET A 595- A 595-CSD19532KTT

Comparer avec la pièce actuelle

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	200 A
Rds On - Résistance drain-source:	5.6 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.2 V
Qg - Charge de grille:	44 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	250 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	NexFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Texas Instruments
Configuration:	Single
Temps de descente:	2 ns
Transconductance directe - min.:	113 S
Sensibles à l’humidité:	Yes
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	3 ns
Série:	CSD19532KTT
Nombre de pièces de l'usine:	500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	14 ns
Délai d'activation standard:	9 ns
Poids de l''unité:	2,200 g

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CSD19532KTT TINA-TI Reference Design

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Chine

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance NexFET™ Texas Instruments

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