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CSD19534Q5AT

Name: Texas Instruments CSD19534Q5AT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19534Q5AT
Price: 2.18 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

595-CSD19534Q5AT

N° de fab. :

CSD19534Q5AT

Fab. :

Texas Instruments

Description :

MOSFET 100V NCh NexFET A 59 5-CSD19534Q5A A 595 A 595-CSD19534Q5A

Fiche technique:

CSD19534Q5AT Fiche technique

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,18 €	2,18 €
	1,40 €	14,00 €
	0,837 €	83,70 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)
	0,837 €	209,25 €
	0,726 €	363,00 €
	0,66 €	660,00 €
	0,652 €	1 630,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

CSD19534Q5A

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

1,26 €

Min.:

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Fab. :

Texas Instruments

N° de fab. :

CSD19534Q5A

Description :

MOSFET N-Channel MOSFET A 5 95-CSD19534Q5AT A 5 A 595-CSD19534Q5AT

Comparer avec la pièce actuelle

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	VSONP-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	50 A
Rds On - Résistance drain-source:	15.1 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.4 V
Qg - Charge de grille:	17 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	63 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	NexFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Texas Instruments
Configuration:	Single
Temps de descente:	6 ns
Transconductance directe - min.:	47 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	14 ns
Série:	CSD19534Q5A
Nombre de pièces de l'usine:	250
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	20 ns
Délai d'activation standard:	9 ns
Poids de l''unité:	24 mg

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SPICE Models

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Chine

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.