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CSD19535KCS

Name: Texas Instruments CSD19535KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19535KCS
Price: 3.67 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

595-CSD19535KCS

N° de fab. :

CSD19535KCS

Fab. :

Texas Instruments

Description :

MOSFET 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET

Fiche technique:

CSD19535KCS Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	3,67 €	3,67 €
	2,02 €	20,20 €
	1,74 €	174,00 €
	1,54 €	770,00 €
	1,42 €	1 420,00 €
	1,32 €	3 300,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	187 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.6 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.2 V
Qg - Charge de grille:	78 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	300 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	NexFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	Texas Instruments
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	CN
Pays de diffusion:	CN
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	5 ns
Transconductance directe - min.:	274 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	15 ns
Série:	CSD19535KCS
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	60 ns
Délai d'activation standard:	32 ns
Poids de l''unité:	2 g