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CSD19537Q3T

Name: Texas Instruments CSD19537Q3T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19537Q3T
Price: 1.97 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

595-CSD19537Q3T

N° de fab. :

CSD19537Q3T

Fab. :

Texas Instruments

Description :

MOSFET 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19537Q3

Fiche technique:

CSD19537Q3T Fiche technique

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Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,97 €	1,97 €
	1,26 €	12,60 €
	0,748 €	74,80 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)
	0,748 €	187,00 €
	0,648 €	324,00 €
	0,64 €	640,00 €
	0,568 €	1 420,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

CSD19537Q3

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

1,62 €

Min.:

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Fab. :

Texas Instruments

N° de fab. :

CSD19537Q3

Description :

MOSFET 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19537Q3T

Comparer avec la pièce actuelle

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	VSON-CLIP-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	53 A
Rds On - Résistance drain-source:	14.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.6 V
Qg - Charge de grille:	16 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	83 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	NexFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Texas Instruments
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	3 ns
Transconductance directe - min.:	45 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	3 ns
Série:	CSD19537Q3
Nombre de pièces de l'usine:	250
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	10 ns
Délai d'activation standard:	5 ns
Poids de l''unité:	24 mg

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Fiche technique

CSD19537Q3T Fiche technique

Models

CSD19537Q3T Symbol & Footprint by SnapMagic

SPICE Models

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance NexFET™ Texas Instruments

Les MOSFET de puissance NexFET™ Texas Instruments fournissent une charge de grille réduite de moitié pour la même résistance, afin de permettre aux concepteurs d'obtenir des rendements d'alimentation électrique de 90 % avec une fréquence double. Les MOSFET de puissance NexFET de TI combinent un flux de courant vertical à un MOSFET de puissance latéral. Ces composants fournissent une faible résistance en fonctionnement et nécessitent une charge de grille extrêmement faible dans un format de boîtier aux standards de l'industrie. Une telle combinaison n'était pas possible auparavant avec les plates-formes sur silicone existantes. La technologie MOSFET de puissance NexFET de TI améliore le rendement énergétique dans les calculateurs, les réseaux, les systèmes de serveurs et les sources d’alimentation de haute puissance.
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