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CSD23203WT

Name: Texas Instruments CSD23203WT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD23203WT
Price: 1.52 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

595-CSD23203WT

N° de fab. :

CSD23203WT

Fab. :

Texas Instruments

Description :

MOSFET CSD23203W 8V P-Ch Ne xFET Power MOSFET A A 595-CSD23203W

Fiche technique:

CSD23203WT Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,52 €	1,52 €
	0,963 €	9,63 €
	0,559 €	55,90 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)
	0,559 €	139,75 €
	0,48 €	240,00 €
	0,432 €	432,00 €
	0,415 €	1 037,50 €
	0,41 €	2 050,00 €
	0,396 €	3 960,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

CSD23203W

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

0,61 €

Min.:

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Fab. :

Texas Instruments

N° de fab. :

CSD23203W

Description :

MOSFET CSD23203W 8 V P-chan MOSFET 6-DSBGA A 59 A 595-CSD23203WT

Comparer avec la pièce actuelle

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DSBGA-6
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	8 V
Id - Courant continu de fuite:	3 A
Rds On - Résistance drain-source:	53 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 6 V, 6 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	800 mV
Qg - Charge de grille:	4.9 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	750 mW
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	NexFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Texas Instruments
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	PH
Pays de diffusion:	CN
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	27 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	12 ns
Série:	CSD23203W
Nombre de pièces de l'usine:	250
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	58 ns
Délai d'activation standard:	14 ns
Poids de l''unité:	1,700 mg

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Fiche technique

CSD23203WT Fiche technique

Images

Mechanical Outline Drawing

PCN

SPICE Models

CSD23203W PSpice Model (Rev. B)

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TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854239099
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance NexFET™ Texas Instruments

Les MOSFET de puissance NexFET™ Texas Instruments fournissent une charge de grille réduite de moitié pour la même résistance, afin de permettre aux concepteurs d'obtenir des rendements d'alimentation électrique de 90 % avec une fréquence double. Les MOSFET de puissance NexFET de TI combinent un flux de courant vertical à un MOSFET de puissance latéral. Ces composants fournissent une faible résistance en fonctionnement et nécessitent une charge de grille extrêmement faible dans un format de boîtier aux standards de l'industrie. Une telle combinaison n'était pas possible auparavant avec les plates-formes sur silicone existantes. La technologie MOSFET de puissance NexFET de TI améliore le rendement énergétique dans les calculateurs, les réseaux, les systèmes de serveurs et les sources d’alimentation de haute puissance.
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