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CSD25302Q2

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N° Mouser :

595-CSD25302Q2

N° de fab. :

CSD25302Q2

Fab. :

Texas Instruments

Description :

MOSFET PCh NexFET Pwr MOSFET

Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

CSD25302Q2 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Fab. :

Texas Instruments

N° de fab. :

CSD25310Q2

Description :

MOSFET 20-V P-CH NexFET Pwr MOSFET

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	WSON-FET-6
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	5 A
Rds On - Résistance drain-source:	49 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, 8 V
Qg - Charge de grille:	2.6 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	2.4 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	NexFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Texas Instruments
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	MY
Temps de descente:	1.3 ns
Transconductance directe - min.:	12.3 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	13.2 ns
Série:	CSD25302Q2
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	8.6 ns
Délai d'activation standard:	3.2 ns
Poids de l''unité:	5 mg