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CSD25310Q2T

Name: Texas Instruments CSD25310Q2T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25310Q2T
Price: 1.51 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

595-CSD25310Q2T

N° de fab. :

CSD25310Q2T

Fab. :

Texas Instruments

Description :

MOSFET -20-V P channel Nex FET power MOSFET si A 595-CSD25310Q2

Fiche technique:

CSD25310Q2T Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,51 €	1,51 €
	0,929 €	9,29 €
	0,541 €	54,10 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)
	0,541 €	135,25 €
	0,464 €	232,00 €
	0,418 €	418,00 €
	0,413 €	1 032,50 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

CSD25310Q2

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

0,52 €

Min.:

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Fab. :

Texas Instruments

N° de fab. :

CSD25310Q2

Description :

MOSFET 20-V P-CH NexFET Pwr MOSFET

Comparer avec la pièce actuelle

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	WSON-6
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	20 A
Rds On - Résistance drain-source:	19.9 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.1 V
Qg - Charge de grille:	4.7 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	2.9 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	NexFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Texas Instruments
Configuration:	Single
Temps de descente:	5 ns
Transconductance directe - min.:	34 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	15 ns
Série:	CSD25310Q2
Nombre de pièces de l'usine:	250
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	15 ns
Délai d'activation standard:	8 ns
Poids de l''unité:	6 mg

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Fiche technique

CSD25310Q2T Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

CSD25310Q2 20V P-Channel NexFET Power MOSFET

Texas Instruments CSD25310Q2 20V P-Channel NexFET Power MOSFET is a 19.9mΩ, –20V P-Channel MOSFET that is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge. This is done in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. The CSD25310Q2's low on-resistance coupled with an extremely small footprint in a SON 2mm×2mm plastic package makes the device ideal for battery-operated space-constrained operations.