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CSD25402Q3A

Name: Texas Instruments CSD25402Q3A
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25402Q3A
Price: 1.07 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

595-CSD25402Q3A

N° de fab. :

CSD25402Q3A

Fab. :

Texas Instruments

Description :

MOSFET P-CH Pwr MOSFET

Fiche technique:

CSD25402Q3A Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,07 €	1,07 €
	0,671 €	6,71 €
	0,443 €	44,30 €
	0,344 €	172,00 €
	0,313 €	313,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,278 €	695,00 €
	0,267 €	1 335,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

CSD25402Q3AT

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

1,45 €

Min.:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	VSONP-8
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	76 A
Rds On - Résistance drain-source:	8.9 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	650 mV
Qg - Charge de grille:	7.5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 125 C
Pd - Dissipation d’énergie :	69 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	NexFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Texas Instruments
Configuration:	Single
Temps de descente:	12 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	7 ns
Série:	CSD25402Q3A
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel Power MOSFET
Délai de désactivation type:	25 ns
Délai d'activation standard:	10 ns
Poids de l''unité:	27,800 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance NexFET™ Texas Instruments

Les MOSFET de puissance NexFET™ Texas Instruments fournissent une charge de grille réduite de moitié pour la même résistance, afin de permettre aux concepteurs d'obtenir des rendements d'alimentation électrique de 90 % avec une fréquence double. Les MOSFET de puissance NexFET de TI combinent un flux de courant vertical à un MOSFET de puissance latéral. Ces composants fournissent une faible résistance en fonctionnement et nécessitent une charge de grille extrêmement faible dans un format de boîtier aux standards de l'industrie. Une telle combinaison n'était pas possible auparavant avec les plates-formes sur silicone existantes. La technologie MOSFET de puissance NexFET de TI améliore le rendement énergétique dans les calculateurs, les réseaux, les systèmes de serveurs et les sources d’alimentation de haute puissance.
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MOSFET de puissance NexFET™ CSD25402Q3A

Le MOSFET de puissance CSD25402Q3A NexFET™ de Texas Instruments est un MOSFET à un canal p 20 V conçu pour minimiser les pertes dans les applications de gestion de la charge de conversion d'énergie. Le CSD25402Q3A de Texas Instruments se présente sous la forme d'un boîtier SON 3,3 mm × 3,3 mm qui offre d'excellentes performances thermiques pour sa taille. Les applications typiques sont les convertisseurs CC-CC, la gestion de batterie, les commutateurs de charge et la protection des batteries.