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CSD25481F4

Name: Texas Instruments CSD25481F4
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25481F4
Price: 0.36 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

595-CSD25481F4

N° de fab. :

CSD25481F4

Fab. :

Texas Instruments

Description :

MOSFET P-CH Pwr MOSFET 20V 90mohm A 595-CSD2548 A 595-CSD25481F4T

Fiche technique:

CSD25481F4 Fiche technique

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,361 €	0,36 €
	0,252 €	2,52 €
	0,157 €	15,70 €
	0,108 €	54,00 €
	0,095 €	95,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,085 €	255,00 €
	0,071 €	426,00 €
	0,055 €	495,00 €
	0,053 €	1 272,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

CSD25481F4T

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

0,99 €

Min.:

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Fab. :

Texas Instruments

N° de fab. :

CSD25481F4T

Description :

MOSFET 20V PCh FemtoFET MO SFET A 595-CSD25481F A 595-CSD25481F4

Comparer avec la pièce actuelle

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PICOSTAR-3
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	2.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	800 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	950 mV
Qg - Charge de grille:	913 pC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	500 mW
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	NexFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Texas Instruments
Configuration:	Single
Temps de descente:	6.7 ns
Transconductance directe - min.:	3.3 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	3.6 ns
Série:	CSD25481F4
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	16.9 ns
Délai d'activation standard:	4.1 ns
Poids de l''unité:	0,400 mg

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TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance NexFET™ Texas Instruments

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