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CSD87312Q3E

Name: Texas Instruments CSD87312Q3E
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD87312Q3E
Price: 1.75 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

595-CSD87312Q3E

N° de fab. :

CSD87312Q3E

Fab. :

Texas Instruments

Description :

MOSFET Dual 30V N-CH NexFET Pwr MOSFET

Fiche technique:

CSD87312Q3E Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,75 €	1,75 €
	1,12 €	11,20 €
	0,755 €	75,50 €
	0,609 €	304,50 €
	0,572 €	572,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,496 €	1 240,00 €
	0,481 €	2 405,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	VSON-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	27 A
Rds On - Résistance drain-source:	33 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	800 mV
Qg - Charge de grille:	6.3 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	2.5 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	NexFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Texas Instruments
Configuration:	Dual
Pays d’assemblage:	PH
Pays de diffusion:	CN
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	2.9 ns
Transconductance directe - min.:	39 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	16 ns
Série:	CSD87312Q3E
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Délai de désactivation type:	17 ns
Délai d'activation standard:	7.8 ns
Poids de l''unité:	31,200 mg