CSD87333Q3DT

Texas Instruments
595-CSD87333Q3DT
CSD87333Q3DT

Fab. :

Description :
MOSFET High Duty Cycle Sync Buck NexFET A 595-C A 595-CSD87333Q3D

Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
Non stocké
Délai usine :
12 Semaines Délai de production estimé en usine.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
1,20 € 1,20 €
0,789 € 7,89 €
0,656 € 65,60 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)
0,656 € 164,00 €
0,617 € 308,50 €
0,594 € 594,00 €
0,586 € 1 465,00 €
0,581 € 2 905,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:
Conditionnement:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilité:
En stock
Prix:
0,97 €
Min.:
1

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Texas Instruments
MOSFET High Duty Cycle Sync Buck NexFET A 595-C A 595-CSD87333Q3DT

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Texas Instruments
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
VSON-8
N-Channel
2 Channel
30 V
15 A
13.4 mOhms
950 mV
3.5 nC
- 55 C
+ 150 C
6 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Texas Instruments
Configuration: Dual
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: PH
Temps de descente: 2.2 ns
Transconductance directe - min.: 43 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 3.9 ns
Série: CSD87333Q3D
Nombre de pièces de l'usine: 250
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 2 N-Channel
Délai de désactivation type: 9.4 ns
Délai d'activation standard: 2.1 ns
Poids de l''unité: 76 mg
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NexFET Power Block ICs

Texas Instruments NexFET Power Block ICs are optimized driver ICs with Dual NexFET MOSFETs used in the devices. This delivers higher efficiency in a typical high current POL design. These devices use half the PCB area versus other discrete 3x3 QFN package MOSFETs, which improves power density. With ultra-low Qg & Qgd, these devices enable a higher switching frequency with up to double frequency for the same power loss versus competitor's devices. This feature provides improved transient response for fewer output capacitors that will be needed. There is a size reduction, by up to 1/2, for the output filter (caps & inductor). Texas Instruments NexFET Power Block ICs come with a unique ground pad lead frame and pinout, which simplifies the customer's layout and improves operating and thermal performance.