CSD95379Q3MT

Texas Instruments
595-CSD95379Q3MT
CSD95379Q3MT

Fab. :

Description :
Commandes de grilles Synchronous Buck Nex FET Power Stage CSD A 595-CSD95379Q3M

Modèle de ECAO:
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En stock: 1 500

Stock:
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Délai usine :
6 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
1,86 € 1,86 €
1,39 € 13,90 €
1,27 € 31,75 €
1,14 € 114,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)
0,98 € 245,00 €
0,929 € 464,50 €
0,911 € 911,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:
Conditionnement:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilité:
En stock
Prix:
1,60 €
Min.:
1

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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Texas Instruments
Catégorie du produit: Commandes de grilles
RoHS:  
REACH - SVHC:
Driver ICs - Various
SMD/SMT
VSON-10
1 Driver
1 Output
20 A
4.5 V
5.5 V
- 40 C
+ 125 C
CSD95379Q3M
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Texas Instruments
Sensibles à l’humidité: Yes
Courant d'alimentation de fonctionnement: 5.5 mA
Pd - Dissipation d’énergie : 6 W
Type de produit: Gate Drivers
Nombre de pièces de l'usine: 250
Sous-catégorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: Si
Nom commercial: NexFET
Poids de l''unité: 34,400 mg
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8542399000
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
854239099
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

MOSFET de puissance NexFET™ Texas Instruments

Les MOSFET de puissance NexFET™ Texas Instruments fournissent une charge de grille réduite de moitié pour la même résistance, afin de permettre aux concepteurs d'obtenir des rendements d'alimentation électrique de 90 % avec une fréquence double. Les MOSFET de puissance NexFET de TI combinent un flux de courant vertical à un MOSFET de puissance latéral. Ces composants fournissent une faible résistance en fonctionnement et nécessitent une charge de grille extrêmement faible dans un format de boîtier aux standards de l'industrie. Une telle combinaison n'était pas possible auparavant avec les plates-formes sur silicone existantes. La technologie MOSFET de puissance NexFET de TI améliore le rendement énergétique dans les calculateurs, les réseaux, les systèmes de serveurs et les sources d’alimentation de haute puissance.
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Texas Instruments NexFET Power Stage ICs are optimized driver ICs with Dual NexFET MOSFETs used in the device. This feature delivers higher efficiency in a typical high-current POL design. With ultra-low Qg and Qgd, these devices enable a higher switching frequency with up to double frequency for the same power loss versus competitors' devices. This feature provides improved transient response for fewer output capacitors that will be needed. There is a reduction in size by up to 1/2 for the output filter (caps and inductor). These devices come with a unique ground pad leadframe and pinout, simplifying the customer's layout and improving operating and thermal performance. The Texas Instruments NexFET Power Stage ICs are offered in smaller packages versus typical discrete solutions, which saves board space.