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DRV5013FAQDBZR

Name: Texas Instruments DRV5013FAQDBZR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-DRV5013FAQDBZR
Price: 0.42 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

595-DRV5013FAQDBZR

N° de fab. :

DRV5013FAQDBZR

Fab. :

Texas Instruments

Description :

Effet Hall/Capteurs magnétiques enfichables 2.5 to 38V Hall Effe ct Sensor

Fiche technique:

DRV5013FAQDBZR Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,421 €	0,42 €
	0,368 €	1,84 €
	0,324 €	3,24 €
	0,308 €	15,40 €
	0,293 €	29,30 €
	0,256 €	128,00 €
	0,242 €	242,00 €
	0,22 €	440,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,217 €	651,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	Effet Hall/Capteurs magnétiques enfichables
RoHS:
Type:	Hall-Effect Latch
Courant d'alimentation de fonctionnement:	2.7 mA
Courant de sortie max.:	30 mA
Point de fonctionnement min./max.:	- 0.6 mT to 3.2 mT
Point de déclenchement min./max.:	- 3.2 mT to 0.6 mT
Tension d'alimentation de fonctionnement:	2.5 V to 38 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 125 C
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-23-3
Série:	DRV5013
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Texas Instruments
Type de sortie:	Open Drain
Tension de sortie:	38 V
Type de produit:	Board Mount Hall Effect / Magnetic Sensors
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Sensors
Tension d’alimentation - Max.:	38 V
Tension d’alimentation - Min.:	2.5 V
Style du raccordement:	SMD/SMT
Avec interrupteur:	Without Switch
Poids de l''unité:	9,700 mg

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Fiche technique

DRV5013FAQDBZR Fiche technique

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Mechanical Outline Drawing

PCN

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Codes de conformité

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 854239099
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Hall Effect Sensors

Texas Instruments DRV50xx Hall Effect Sensors are used for position, speed, and acceleration detection, object recognition, index counting, and more in a wide range of industrial and automotive applications. Key benefits of Texas Instruments hall effect sensor solution include a large voltage operating range (2.5V-38V); supports high-voltage load dump (up to 40V), devices feature a power-on "ready" pulse at start-up; fast power-on time (35µsec); fast switching time (less than 15µsec); reverse supply protection (up to -22V); and overcurrent protection. Typical applications include 3-phase BLDC motors, index counting, position, speed, acceleration, presence detection, proximity sensing, and open/close detection.

Capteur à effet Hall et à verrouillage numérique DRV5013

Les capteurs à effet Hall et à verrouillage numérique DRV5013 Texas Instruments sont des capteurs à effet Hall stabilisé par hacheur qui offre une solution de captage magnétique avec une stabilité de sensibilité accrue par rapport à la température et des protections intégrées. Le champ magnétique est indiqué via une sortie de verrouillage bipolaire numérique. Le CI est doté d'un étage de sortie collecteur ouvert avec une capacité de consommateur de courant de 30 mA. Une large plage de tensions de fonctionnement allant de 2,5 V à 38 V avec une protection contre les inversions de polarité jusqu'à -22 V rend le composant adapté à un large éventail d'applications industrielles. Des fonctions de protection internes sont fournies pour les conditions d'inversion de l'alimentation, de décharge de charge, ainsi que les courts-circuits en sortie ou les surintensités.
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