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JFE150DBVT

Name: Texas Instruments JFE150DBVT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-JFE150DBVT
Price: 3.52 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

595-JFE150DBVT

N° de fab. :

JFE150DBVT

Fab. :

Texas Instruments

Description :

JFET Ultra-low-noise low -gate-current audio

Fiche technique:

JFE150DBVT Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	3,52 €	3,52 €
	2,31 €	23,10 €
	1,45 €	145,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)
	1,45 €	362,50 €
	1,33 €	665,00 €
	1,25 €	1 250,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	JFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-23-5
Polarité du transistor:	N-Channel
Configuration:	Single
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Vgs - Tension de rupture grille-source:	- 40 V
Tension gâchette-cathode de coupure:	- 1.2 V
Id - Courant continu de fuite:	50 mA
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 125 C
Série:	JFE150
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Texas Instruments
Transconductance directe - min.:	3 mS
Type de produit:	JFETs
Nombre de pièces de l'usine:	250
Sous-catégorie:	Transistors

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Fiche technique

JFE150DBVT Fiche technique

PCN

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

JFET à canal N Audio JFE150

Le JFET à canal N Audio JFE150 de Texas Instruments est un JFET discret Burr-Brown™ élaboré à l'aide du processus bipolaire analogique moderne et à hautes performances de Texas Instruments. Le JFE150 offre des performances qui n'étaient pas auparavant disponibles dans les anciennes technologies JFET discrètes. Le JFE150 offre le maximum d’efficacité et de flexibilité du rapport bruit-puissance, où le courant de repos peut être réglé par l’utilisateur et fournit d’excellentes performances de bruit pour les courants de 50 µA à 20 mA. Lorsqu'il est polarisé à 5 mA, le dispositif produit 0,8 nV/√Hz de bruit de référence en entrée, procurant des performances de bruit ultra-faible avec une impédance d'entrée extrêmement élevée (> 1 TΩ). Le JFE150 dispose également de diodes intégrées connectées à des nœuds de serre-câbles séparés pour protéger sans l'ajout de diodes externes non linéaires à forte fuite.