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JFE2140DSGR

Name: Texas Instruments JFE2140DSGR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-JFE2140DSGR
Price: 5.21 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

595-JFE2140DSGR

N° de fab. :

JFE2140DSGR

Fab. :

Texas Instruments

Description :

JFET Dual ultra-low nois e low-gate-current

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

JFE2140DSGR Fiche technique

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	5,21 €	5,21 €
	3,64 €	36,40 €
	2,94 €	294,00 €
	2,61 €	1 305,00 €
	2,24 €	2 240,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	2,24 €	6 720,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	JFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	WSON-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Configuration:	Dual
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Vgs - Tension de rupture grille-source:	- 40 V
Tension gâchette-cathode de coupure:	- 1.2 V
Courant drain/source à Vgs=0:	23 mA
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 125 C
Série:	JFE2140
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Texas Instruments
Transconductance directe - min.:	2.1 mS
Type de produit:	JFETs
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors

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Fiche technique

JFE2140DSGR Fiche technique

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

JFET à canal N JFE2140

Le JFET à canal N JFE2140 de Texas Instruments est un JFET discret à paire appariée Burr-Brown™ construit à l'aide du processus bipolaire analogique haute performance de Texas Instruments. Le JFE2140 présente d'excellentes performances en matière de bruit dans toutes les plages de courant, l'utilisateur réglant le courant de repos de 50μA à 20 mA. Lorsqu'il est polarisé à 5 mA, le JFE2140 produit 0,9nV/√Hz de bruit d'entrée, ce qui permet d'obtenir des performances à très faible bruit avec une impédance d'entrée extrêmement élevée (> 1TΩ). En outre, l'adaptation entre les JFET est testée jusqu'à ±4 mV ce qui garantit un faible décalage et une performance CMRR élevée pour les configurations de paires différentielles.