LMG1210RVRR

Texas Instruments
595-LMG1210RVRR
LMG1210RVRR

Fab. :

Description :
Commandes de grilles 1.5-A 3-A 200-V ha l f bridge gate drive A 595-LMG1210RVRT

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Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
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Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
3,92 € 3,92 €
2,98 € 29,80 €
2,74 € 68,50 €
2,49 € 249,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
2,49 € 7 470,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:
Conditionnement:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilité:
En stock
Prix:
5,54 €
Min.:
1

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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Texas Instruments
Catégorie du produit: Commandes de grilles
RoHS:  
MOSFET Gate Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
WQFN-19
2 Driver
2 Output
3 A
4.75 V
18 V
500 ps
500 ps
- 40 C
+ 125 C
LMG1210
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Texas Instruments
Type de logique: TTL
Délai de désactivation max.: 18 ns
Délai d'activation max.: 18 ns
Sensibles à l’humidité: Yes
Durée de l'état bloqué maximale: 18 ns
Courant d'alimentation de fonctionnement: 380 uA
Tension de sortie: 5 V
Type de produit: Gate Drivers
Temps de propagation maximal: 20 ns
Rds On - Résistance drain-source: 400 mOhms
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: GaN
Nom commercial: GaN
Poids de l''unité: 26,800 mg
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Attributs sélectionnés: 0

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Codes de conformité
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Thaïlande
Pays d'origine de l'assemblage:
Thaïlande
Pays de diffusion:
États-Unis
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

LMG1210 200V Half-Bridge MOSFET & GaN FET Drivers

Texas Instruments LMG1210 200V Half-Bridge MOSFET and Gallium Nitride Field Effect Transistor (GaN FET) Drivers are designed for ultra-high frequency and high-efficiency applications. The device is ideal for applications with adjustable deadtime capability, very small propagation delay, and 3.4ns high-side low-side matching to optimize system efficiency. The LMG1210 MOSFET and GaN FET Drivers offer an internal LDO, which ensures a gate-drive voltage of 5V regardless of the supply voltage.