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LMG3411R070RWHR

Name: Texas Instruments LMG3411R070RWHR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG3411R070RWHR
Price: 7.79 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

595-LMG3411R070RWHR

N° de fab. :

LMG3411R070RWHR

Fab. :

Texas Instruments

Description :

Commandes de grilles 600-V 70-m? GaN with integrated driver a A 595-LMG3411R070RWHT

Fiche technique:

LMG3411R070RWHR Fiche technique

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Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

LMG3411R070RWHT

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

19,57 €

Min.:

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Fab. :

Texas Instruments

N° de fab. :

LMG3411R070RWHT

Description :

Commandes de grilles 600-V 70-m? GaN with integrated driver a A 595-LMG3411R070RWHR

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Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	Commandes de grilles
RoHS:
Produit:	MOSFET Gate Drivers
Type:	High-Side, Low-Side
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	QFN-32
Nombre de pilotes:	1 Driver
Nombre de sorties:	1 Output
Tension d’alimentation - Min.:	9.5 V
Tension d’alimentation - Max.:	18 V
Temps de montée:	15 ns
Temps de descente:	4.2 ns
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 125 C
Série:	LMG3411R070
Conditionnement:	Reel
Marque:	Texas Instruments
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	Not Available
Délai de désactivation max.:	10 ns
Délai d'activation max.:	12 ns
Sensibles à l’humidité:	Yes
Courant d'alimentation de fonctionnement:	43 mA
Tension de sortie:	5 V
Type de produit:	Gate Drivers
Temps de propagation maximal:	36 ns
Rds On - Résistance drain-source:	70 mOhms
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si
Nom commercial:	GaN

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Fiche technique

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Application Notes

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USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Étage de puissance GaN 600 V 70 mΩ LMG3410R070

L'étage de puissance GaN 600 V 70 mΩ LMG3410R070 Texas Instruments à pilote et protection intégrés offre des avantages par rapport aux MOSFET au silicium. Ceux-ci incluent une capacité d'entrée et de sortie ultra-faible. Leurs caractéristiques comprennent une récupération inverse nulle, ce qui réduit les pertes de commutation jusqu'à 80 % et un faible écho au nœud de commutation de réduction EMI.