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LMG3522R030RQSR

Name: Texas Instruments LMG3522R030RQSR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG3522R030RQSR
Price: 11.89 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

595-LMG3522R030RQSR

N° de fab. :

LMG3522R030RQSR

Fab. :

Texas Instruments

Description :

Commandes de grilles 650-V 30-m? GaN FET with integrated driv

Fiche technique:

LMG3522R030RQSR Fiche technique

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Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	Commandes de grilles
Restrictions en matière d'expédition :	Il se peut que des documents supplémentaires soient nécessaires pour une exportation depuis les États-Unis.
Produit:	Driver ICs - Various
Type:	Half-Bridge
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	VQFN-52
Nombre de pilotes:	1 Driver
Nombre de sorties:	1 Output
Tension d’alimentation - Min.:	7.5 V
Tension d’alimentation - Max.:	18 V
Configuration:	Non-Inverting
Temps de montée:	4.3 ns
Temps de descente:	22 ns
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 125 C
Série:	LMG3522R030
Conditionnement:	Reel
Marque:	Texas Instruments
Fonctionnalités:	Robust Protection
Délai de désactivation max.:	69 ns
Délai d'activation max.:	54 ns
Sensibles à l’humidité:	Yes
Courant d'alimentation de fonctionnement:	15.5 mA
Tension de sortie:	5 V
Type de produit:	Gate Drivers
Rds On - Résistance drain-source:	26 mOhms
Arrêt:	Shutdown
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si

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Fiche technique

LMG3522R030RQSR Fiche technique

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Codes de conformité

USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: 3A001.A.2.A

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Non disponible
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

FET GaN 650 V 30 mΩ LMG3522R030/LMG3522R030-Q1

Les FET GaN 650 V 30 mΩ LMG3522R030/LMG3522R030-Q1 de Texas Instruments incluent un pilote intégré et une protection pour les convertisseurs de puissance en mode commutation. Le LMG3522R030/LMG3522R030-Q1 intègre un pilote au silicium qui permet des vitesses de commutation allant jusqu’à 150 V/ns. Le dispositif implémente la polarisation de grille de précision intégrée de TI ce qui donne un SOA de commutation plus élevé que les commandes de grilles discrètes en silicium. Cette intégration, combinée au boîtier à faible inductance de TI, permet une commutation propre et un écho minimal dans les topologies d’alimentation électrique à commutation rapide. Une force de commande de grille réglable permet de contrôler la vitesse de balayage de 20 V/ns à 150 V/ns ce qui peut être utilisé pour contrôler les EMI et optimiser activement les performances de commutation.