LMG3522R030RQST

595-LMG3522R030RQST
LMG3522R030RQST

Fab. :

Description :
Commandes de grilles 650-V 30-m? GaN FET with integrated driver, protection and temperature reporting 52-VQFN -40 to 150

Cycle de vie:
Disponibilité restreinte:
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Modèle de ECAO:
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Stock:
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Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
25,56 € 25,56 €
21,32 € 213,20 €
21,17 € 2 117,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)
21,16 € 5 290,00 €
20,96 € 10 480,00 €
1 000 Devis
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Texas Instruments
Catégorie du produit: Commandes de grilles
RoHS:  
Driver ICs - Various
Half-Bridge
SMD/SMT
VQFN-52
1 Driver
1 Output
7.5 V
18 V
Non-Inverting
4.3 ns
22 ns
- 40 C
+ 125 C
LMG3522R030
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Texas Instruments
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: PH
Fonctionnalités: Robust Protection
Délai de désactivation max.: 69 ns
Délai d'activation max.: 54 ns
Sensibles à l’humidité: Yes
Courant d'alimentation de fonctionnement: 15.5 mA
Tension de sortie: 5 V
Type de produit: Gate Drivers
Rds On - Résistance drain-source: 26 mOhms
Arrêt: Shutdown
Nombre de pièces de l'usine: 250
Sous-catégorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: Si
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Attributs sélectionnés: 0

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CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

FET GaN 650 V 30 mΩ LMG3522R030/LMG3522R030-Q1

Les FET GaN 650 V 30 mΩ LMG3522R030/LMG3522R030-Q1 de Texas Instruments incluent un pilote intégré et une protection pour les convertisseurs de puissance en mode commutation. Le LMG3522R030/LMG3522R030-Q1 intègre un pilote au silicium qui permet des vitesses de commutation allant jusqu’à 150 V/ns. Le dispositif implémente la polarisation de grille de précision intégrée de TI ce qui donne un SOA de commutation plus élevé que les commandes de grilles discrètes en silicium. Cette intégration, combinée au boîtier à faible inductance de TI, permet une commutation propre et un écho minimal dans les topologies d’alimentation électrique à commutation rapide. Une force de commande de grille réglable permet de contrôler la vitesse de balayage de 20 V/ns à 150 V/ns ce qui peut être utilisé pour contrôler les EMI et optimiser activement les performances de commutation.