LPV521P

Texas Instruments
595-LPV521P
LPV521P

Fab. :

Description :
Amplificateurs opérationnels - Amplis-Op Single 5.5V 6.2kHz 3 50nA quiescent cu

Cycle de vie:
Nouveau produit:
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Fiche technique:
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En stock: 908

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Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
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2,52 € 25,20 €

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Texas Instruments
Catégorie du produit: Amplificateurs opérationnels - Amplis-Op
RoHS:  
1 Channel
6.2 kHz
2.9 mV/us
100 uV
50 pA
5.5 V
1.6 V
475 nA
23 mA
53 dB
265 nV/sqrt Hz
PDIP-8
Through Hole
No Shutdown
- 40 C
+ 125 C
LPV521
Tube
Type d'amplificateur: Operational Amplifier
Marque: Texas Instruments
In : densité du courant de bruit d'entrée: 100 fA
Type d'entrée: Rail-to-Rail
Type de sortie: Rail-to-Rail
Produit: Operational Amplifier
Type de produit: Op Amps - Operational Amplifiers
PSRR - Taux de réjection de l'alimentation: 109 dB
Nombre de pièces de l'usine: 50
Sous-catégorie: Amplifier ICs
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Attributs sélectionnés: 0

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Codes de conformité
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542330001
MXHTS:
8542330299
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Mexique
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Amplificateurs opérationnels LPV521 de puissance nanométrique unique

Les amplificateurs opérationnels Texas Instruments LPV521 de puissance nanométrique unique sont conçus pour des applications de batteries nécessitant une très longue durée de vie. Un courant standard d'alimentation de 351 nA et une plage de tension de fonctionnement de 1,6 à 5,5 V font de ce dispositif un excellent choix pour des applications de nano-alimentation de télédétecteurs et pour des lecteurs de RFID. Le dispositif a une performance de sortie à basculement de tension jusqu'au rail et une tension de mode commun d'entrée de 0,1 V sur les rails, spécifiée TCVOS. L'étage d'entrée du LPV521 est soigneusement conçu avec un étage d'entrée de CMOS qui surpasse les concurrents à courants IBIAS standards de 40 fA. Ce faible courant d'entrée réduit considérablement les erreurs d'IOS et d'IBIAS introduites dans des applications de résistances méga-ohmiques, de photodiodes à hautes impédances et de détection de charges.